FGL60N100BNTD, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

820 руб.

от 4 шт. — 700 руб.

от 7 шт. — 659 руб.

от 14 шт. — 636 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 820 руб.

Посмотреть аналоги1

Номенклатурный номер: 8001891023

Артикул: FGL60N100BNTD

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт

Корпус	to264
Brand	ON Semiconductor/Fairchild
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1000 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	60 A
Continuous Collector Current at 25 C	60 A
Continuous Collector Current Ic Max	60 A
Factory Pack Quantity	25
Gate-Emitter Leakage Current	+/-500 nA
Height	26 mm
Length	20 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-25 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-264-3
Packaging	Tube
Part # Aliases	FGL60N100BNTDTU_NL
Pd - Power Dissipation	180 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Series	FGL60N100BNTD
Technology	Si
Unit Weight	0.238311 oz
Width	5 mm
Вес, г	10