BC850BLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3 Вт

Фото 1/6 BC850BLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 235 шт.
от 1027 шт.1.30 руб.
от 2053 шт.1.20 руб.
Добавить в корзину 235 шт. на сумму 470 руб.
Номенклатурный номер: 8001920745
Артикул: BC850BLT1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3 Вт

Технические параметры

Корпус SOT-23-3(TO-236)
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 45
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 200@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package SOT-23
Standard Package Name SOT
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.94
Package Length 2.9
Package Width 1.3
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.6 V
Continuous Collector Current 0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 200
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product FT 100 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Pd - Power Dissipation 225 mW
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series BC850BL
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Maximum Collector Base Voltage 50 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Power Dissipation 225 mW
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 167 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC847CLT3G
pdf, 105 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов