Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BCP68-25,115, Биполярный транзистор, NPN ...

BCP68-25,115, Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А, 1.35 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

470 шт. со склада г.Москва, срок 10-13 дней

9 руб.

Мин. кол-во для заказа 56 шт.

от 86 шт. — 7.60 руб.

от 172 шт. — 6.30 руб.

Добавить в корзину 56 шт. на сумму 504 руб.

Альтернативные предложения5

Номенклатурный номер: 8001920746

Артикул: BCP68-25,115

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А, 1.35 Вт

Технические параметры

Корпус	SOT-223
Pd - рассеивание мощности	1400 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	BCP68-25 T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	160 at 500 mA at 1 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	160 at 500 mA at 1 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	32 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	170 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm
Base Product Number	BCP68 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 500mA, 1V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	170MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	650mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Collector Emitter Voltage Max	20В
Continuous Collector Current	1А
DC Current Gain hFE Min	160hFE
DC Усиление Тока hFE	160hFE
Power Dissipation	625мВт
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	170МГц
Maximum Collector Base Voltage	32 V
Maximum Collector Emitter Voltage	20 V
Maximum DC Collector Current	2 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	170 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.4 W
Minimum DC Current Gain	50
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223(SC-73)
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Вес, г	0.1