STB13N60M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
570 руб.
от 2 шт. —
510 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 600V, 11A, 110W, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 9.5 ns |
Id - Continuous Drain Current | 11 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-263-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 110 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 17 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
Rise Time | 10 ns |
RoHS | Details |
Series | MDmesh M2 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 41 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 9.5 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-263-3 |
Pd - Power Dissipation: | 110 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 17 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms |
Rise Time: | 10 ns |
Series: | STB13N60M2 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
Описание | 600V, 11A N-Channel MOSFET |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
Тип | MOSFET |
Тип проводимости | N |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 59*40*51/500 |
Упаковка | REEL, 2000 шт. |
Вес, г | 1.57 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.