RE1C002UNTCL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
213000 шт., срок 7 недель
8 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
7.10 руб.
от 30000 шт. —
6.61 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 24 000 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
MOSFET, N-CH, 20V, 0.2A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V; Threshold Voltage Vgs
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.8Ом |
Power Dissipation | 150мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 2.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 200мА |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.8Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416FL |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 0.2(A) |
Drain-Source On-Volt | 20(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | ±8(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | EMTF |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Polarity | N |
Rad Hardened | No |
Type | Small Signal |
Техническая документация
Datasheet RE1C002UNTCL
pdf, 2542 КБ
Документация
pdf, 1460 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.