Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › 2SCR523EBTL

2SCR523EBTL

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

100 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

73 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 34 руб.

от 100 шт. — 25 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 146 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001940451

Бренд: Rohm

Описание

Электроэлемент

TRANS, NPN, 50V, 0.1A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:350MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:120hFE;

Технические параметры

Brand	ROHM Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.1 V
Configuration	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min	120
DC Current Gain hFE Max	560 at 1 mA at 6 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product fT	350 MHz
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Maximum DC Collector Current	200 mA
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	EMT-3F-3
Packaging	Cut Tape
Part # Aliases	2SCR523EB
Pd - Power Dissipation	150 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	2SCR523EB
Technology	Si
Transistor Polarity	NPN
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors
Collector Emitter Voltage Max	50В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	120hFE
Power Dissipation	150мВт
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount