Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

17 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней

190 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 130 руб.

от 10 шт. — 104 руб.

от 17 шт. — 92.61 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 380 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8001940595

Бренд: Rohm

Описание

Электроэлемент

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Continuous Drain Current	10(A)
Drain-Source On-Volt	30(V)
Gate-Source Voltage (Max)	±20(V)
Mounting	Surface Mount
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	HSMT EP
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	8
Polarity	N
Power Dissipation	2(W)
Rad Hardened	No
Type	Power MOSFET
Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	2 W
Qg - заряд затвора	7.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	11.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4.3 ns
Время спада	3.1 ns
Другие названия товара №	RQ3E100GN
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	8 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	22.4 ns
Типичное время задержки при включении	8.4 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	HSMT-8
Вес, г	1