STW12N150K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
3 310 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 310 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Fall Time | 37 ns |
| Height | 5.15 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 7 A |
| Length | 20.15 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| Product | Power MOSFET |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 47 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.9 Ohms |
| Rise Time | 8 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh K5 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Type | MDmesh K5 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 90 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V to 5 V |
| Width | 15.75 mm |
| Case | TO247 |
| Drain current | 4A |
| Drain-source voltage | 1.5kV |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 1.6Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 250W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 16.5 |
Техническая документация
Datasheet STW12N150K5
pdf, 754 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
