SQD50N05-11L_GE3

Фото 1/3 SQD50N05-11L_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
560 руб.
от 2 шт.470 руб.
от 10 шт.410 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 560 руб.
Номенклатурный номер: 8001945318

Описание

Электроэлемент
Mosfet, N-Ch, 50V, 50A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD50N05-11L_GE3

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 50A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2106pF @ 25V
Manufacturer Vishay Siliconix
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 45A, 10V
Series TrenchFETВ®
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250ВµA
Automotive Standard AEC-Q101
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 50 A
Maximum Drain Source Resistance 24 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 50 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 75 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1.5V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 34.6 nC @ 10 V
Width 6.22mm
Drain Source On State Resistance 0.009Ом
Power Dissipation 75Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TrenchFET
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 50В
Непрерывный Ток Стока 50А
Пороговое Напряжение Vgs
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 137 КБ
Datasheet
pdf, 202 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов