STGB30H60DFB
3 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
1 330 руб.
от 2 шт. —
1 210 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 330 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
Base Part Number | STGB30 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Gate Charge | 149nC |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Active |
Power - Max | 260W |
Reverse Recovery Time (trr) | 53ns |
Series | - |
Supplier Device Package | D2PAK |
Switching Energy | 383ВµJ(on), 293ВµJ(off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 37ns/146ns |
Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Техническая документация
Datasheet STGP30H60DFB
pdf, 819 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары