STGB30H60DFB

3 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
1 330 руб.
от 2 шт.1 210 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 330 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001952440
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

Base Part Number STGB30
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Gate Charge 149nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Manufacturer STMicroelectronics
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging Tape & Reel(TR)
Part Status Active
Power - Max 260W
Reverse Recovery Time (trr) 53ns
Series -
Supplier Device Package D2PAK
Switching Energy 383ВµJ(on), 293ВµJ(off)
Td (on/off) @ 25В°C 37ns/146ns
Test Condition 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V

Техническая документация

Datasheet STGP30H60DFB
pdf, 819 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.