Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

440 руб.

от 2 шт. — 380 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 440 руб.

Номенклатурный номер: 8001952818

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Электроэлемент

MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, POWERPAK SO; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltag

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
FET Feature	Standard
FET Type	2 N-Channel(Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	975pF @ 10V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	PowerPAKВ® SO-8 Dual
Packaging	Cut Tape(CT)
Part Status	Active
Power - Max	27W, 48W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8mOhm @ 16A, 10V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
Supplier Device Package	PowerPAKВ® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250ВµA
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance N Channel	0.0031Ом
Drain Source On State Resistance P Channel	0.0031Ом
Power Dissipation N Channel	48Вт
Power Dissipation P Channel	48Вт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Series
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал	20В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал	20В
Непрерывный Ток Стока, N Канал	60А
Непрерывный Ток Стока, P Канал	60А
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный