RQ3L050GNTB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
112 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
173 руб.
от 100 шт. —
152.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 520 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 12A, HSMT-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.061ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Powe
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 3.7 ns |
| Forward Transconductance - Min | 3.5 S |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | HSMT-8 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 14.8 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 5.3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 43 mOhms |
| Rise Time | 4.9 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 17.4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3.7 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 3.5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | HSMT-8 |
| Part # Aliases: | RQ3L050GN |
| Pd - Power Dissipation: | 14.8 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 43 mOhms |
| Rise Time: | 4.9 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17.4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 5.577 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1634 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
