FF400R06KE3HOSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
81 130 руб.
от 2 шт. —
78 890 руб.
от 5 шт. —
76 690 руб.
от 8 шт. —
74 540.46 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 81 130 руб.
Описание
Электроэлемент
IGBT, MODULE, N-CH, 600V, 500A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:500A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V; Power Dissipation Pd:1.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:-; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:62mm C-Series; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Configuration | Half Bridge |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input | Standard |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Chassis Mount |
NTC Thermistor | No |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | Module |
Part Status | Active |
Power - Max | 1250W |
Series | C |
Supplier Device Package | Module |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 400A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Automotive | No |
Channel Type | N |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 500 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Screw |
Packaging | Tray |
PCB changed | 7 |
Pin Count | 7 |
PPAP | No |
Supplier Package | 62MM-1 |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.45 |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 430 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов