IDH10G65C6XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 330 руб.
от 2 шт. —
1 200 руб.
от 4 шт. —
1 110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 330 руб.
Описание
Электроэлемент
SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 24A, TO-220; Product Range:CoolSiC 6G 650V Series; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:650V; Continuous Forward Current If:24A; Total Capacitive Charge Qc:14.7nC; Diode Case Style:TO-220; No. of Pins:2 Pin; Junction Temperature Tj Max:175В°C; Automotive Qualification Standard:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Forward Current If(AV):24A; Forward Surge Current Ifsm Max:55A; Forward Voltage VF Max:1.35V; Operating Temperature Max:175В°C; Semiconductor Technology:SiC
Технические параметры
| Automotive | No |
| Maximum Continuous Forward Current - (A) | 24 |
| Maximum Diode Capacitance - (pF) | 495(Typ) |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 72000 |
| Military | No |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Peak Forward Voltage - (V) | 1.35@10A |
| Peak Non-Repetitive Surge Current - (A) | 55 |
| Peak Reverse Current - (uA) | 33@420V |
| Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | 650 |
| Pin Count | 2 |
| Supplier Package | TO-220 |
| If - прямой ток | 24 A |
| Ifsm - ударный прямой ток | 55 A |
| Ir - обратный ток | 1 uA |
| Pd - рассеивание мощности | 72 W |
| Vf - прямое напряжение | 1.25 V |
| Vrrm - повторяющееся обратное напряжение | 650 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IDH10G65C6 SP001620590 |
| Категория продукта | Диоды и выпрямители Шоттки |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Продукт | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Технология | SiC |
| Тип продукта | Schottky Diodes Rectifiers |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-2 |
| Base Product Number | IDH10G65 -> |
| Capacitance @ Vr, F | 495pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 24A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 33ВµA @ 420V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55В°C ~ 175В°C |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-2 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 10A |
| Average Forward Current | 24А |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Количество Выводов | 2 Вывода |
| Линейка Продукции | CoolSiC 6G 650V |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 14.7нКл |
| Стиль Корпуса Диода | TO-220 |
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 10A |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PG-TO220 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Вес, г | 2.626 |
Техническая документация
Datasheet IDH10G65C6XKSA1
pdf, 902 КБ
Документация
pdf, 947 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды выпрямительные»
Типы корпусов импортных диодов
