IKY75N120CH3XKSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 560 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 560 руб.

Номенклатурный номер: 8001962740

Электроэлемент

Описание Транзистор IGBT, 1,2кВ, 75А, 256Вт, TO247PLUS-4, Серия H3 Характеристики

Brand	Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current at 25 C	150 A
Continuous Collector Current Ic Max	150 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Manufacturer	Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20 V
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-40 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	PG-TO247-4-2
Pd - Power Dissipation	938 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Collector Emitter Saturation Voltage	2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	150А
Power Dissipation	938Вт
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Линейка Продукции	HighSpeed 3
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	150 A
Maximum Power Dissipation	938 W
Package Type	PG-TO247-4-2
Вес, г	29.5