Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › FMG3AT148

FMG3AT148

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

105 шт. со склада г.Москва, срок 7-8 дней

120 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 73 руб.

от 10 шт. — 62 руб.

от 100 шт. — 51 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8001967686

Бренд: Rohm

Описание

Электроэлемент

ROHM, FMG3AT148, Dual NPN Digital Transistor, 100 mA 50 V 4.7 kΩ, Dual, 5-Pin SOT-25

Технические параметры

Brand	ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Configuration	Dual Common Emitter
Continuous Collector Current	100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	100
DC Current Gain hFE Max	600
Factory Pack Quantity	3000
Height	1.1 mm
Length	2.9 mm
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-25-5
Packaging	Reel
Peak DC Collector Current	100 mA
Product Category	Bipolar Transistors-Pre-Biased
RoHS	Details
Series	FMG3A
Transistor Polarity	NPN
Typical Input Resistor	4.7 kOhms
Width	1.6 mm
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.1 mm
Длина	2.9 mm
Другие названия товара №	FMG3A
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
Конфигурация	Dual Common Emitter
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	600
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	FMG3A
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	4.7 kOhms
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-25-5
Ширина	1.6 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage	50V
Maximum DC Collector Current	100mA
Pd - Power Dissipation	300mW
Transistor Type	2 NPN pre-biased (double)
Вес, г	0.1