STD20NF06LT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
350 руб.
от 2 шт. —
260 руб.
от 5 шт. —
195 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения4
Посмотреть аналоги4
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N, LOGIC, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Dissi
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -18 V, +18 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Width | 6.2mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 32 mOhms |
| Rise Time: | 50 ns |
| Series: | STD20NF06L |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 413 КБ
Datasheet
pdf, 393 КБ
Datasheet STD20NF06L, STD20NF06L-1
pdf, 410 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
