JANTX2N2907A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
от 2 шт. —
530 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Описание
Электроэлемент
JANTX Series 60 V 600 mA Through Hole PNP Small Signal Silicon Transistor -TO-18
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | - |
| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 200В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Series | Military, MIL-PRF-19500/291 |
| Supplier Device Package | TO-206AA(TO-18) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| RoHS | N |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-18-3 |
Техническая документация
Документация
pdf, 886 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
