FMMT593
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
68 руб.
от 10 шт. —
50 руб.
от 95 шт. —
33.65 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case
Технические параметры
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO | -120 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -100 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | -300 mV |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | -1 A |
Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT | 50 MHz |
Height | 1.1 mm |
Length | 3 mm |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 0.5 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | FMMT593 |
Transistor Polarity | PNP |
Width | 1.4 mm |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальная рабочая частота | 50 MHz |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,1 В |
Длина | 3мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Максимальное напряжение коллектор-база | 120 V |
Производитель | DiodesZetex |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 100 В |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
Тип монтажа | Surface Mount |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 1.4мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 1 A |
Тип транзистора | PNP |
Высота | 1.1мм |
Число контактов | 3 |
Размеры | 1.1 x 3 x 1.4мм |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory | Transistors |
Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 0.181 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов