IRF9310
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
470 руб.
от 2 шт. —
370 руб.
от 5 шт. —
302 руб.
от 10 шт. —
275.94 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Описание
Электроэлемент
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -20A, SOIC, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-20A, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):3.9mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-1.8V , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5250pF @ 15V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100ВµA |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF9310PBF datasheet
pdf, 296 КБ
Документация
pdf, 287 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
