IRF9321
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
130 руб.
от 10 шт. —
105 руб.
от 100 шт. —
84.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -30V, -15A, SOIC, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-15A, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):0.0059ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-1.8V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Category | Discrete Semiconductor Products |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A(Ta) |
Design Resources | IRF9321PBF Saber ModelIRF9321PBF Spice Model |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Family | FETs-Single |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2590pF @ 25V |
Mounting Type | Surface Mount |
Online Catalog | P-Channel Logic Level Gate FETs |
Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
Packaging | Tube |
PCN Assembly/Origin | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Warehouse Transfer 29/Jul/2015 |
PCN Packaging | Package Drawing Update 19/Aug/2015 |
Power - Max | 2.5W |
Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 15A, 10V |
Series | HEXFET® |
Standard Package | 95 |
Supplier Device Package | 8-SO |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
Крутизна характеристики S,А/В | 30 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -2.4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 11.2 |
Температура, С | -55…+150 |
Вес, г | 0.156 |
Техническая документация
Datasheet IRF9321TRPBF
pdf, 280 КБ
IRF9321PBF datasheet
pdf, 288 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов