IKW30N60H3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
700 руб.
от 2 шт. —
580 руб.
от 5 шт. —
503 руб.
от 10 шт. —
467.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 700 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
IGBT+ DIODE,600V,20A,TO247, DC Collector Current:30A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.4V, Power Dissipation Pd:187W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V, No. of Pins:3, Operating Temperature Max:175 C, MSL:- , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| DC Collector Current | 30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.4В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 30А |
| Power Dissipation | 187Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Channel Type | N |
| Energy Rating | 1.72mJ |
| Gate Capacitance | 1630pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 187 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector Current (DC) | 60(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 600(V) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature (Max) | 150C |
| Operating Temperature (Min) | -55C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Packaging | Rail/Tube |
| Rad Hardened | No |
| Вес, г | 20 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW30N60H3
pdf, 2185 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
