MMBT3906
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
91 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
39 руб.
от 10 шт. —
20 руб.
от 100 шт. —
5.16 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 182 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, -40V, -200mA, 300mW, SOT-23, Transistor Polarity:PNP, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V, Transition Frequency ft:250MHz, Power Dissipation Pd:300mW, DC Collector Current:-200mA, DC Current Gain hFE:100hFE , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Maximum Collector Base Voltage | -40 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 81 КБ
Datasheet
pdf, 242 КБ
MMBT3906
pdf, 247 КБ
Документация
pdf, 256 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
