2STF1360

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

24 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

130 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 73 руб.

от 10 шт. — 54 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 260 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8001998061

Электроэлемент

Описание Транзистор силовой биполярный Характеристики

Brand	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V
Configuration	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min	80
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	2500
Gain Bandwidth Product fT	130 MHz
Height	1.6 mm
Length	4.6 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current	3 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-89-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	1400 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	500V Transistors
Transistor Polarity	NPN
Width	2.6 mm
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	180 mV
Configuration:	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min:	80
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Gain Bandwidth Product fT:	130 MHz
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current:	3 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-89-3
Pd - Power Dissipation:	1.4 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	2STF1360
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.1