STD12NF06LT4

STD12NF06LT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
290 руб.
от 2 шт.200 руб.
от 5 шт.139 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001998176
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент
Automotive-grade N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package

Технические параметры

Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 2500
Fall Time 13 ns
Forward Transconductance - Min 7 S
Height 2.4 mm
Id - Continuous Drain Current 12 A
Length 6.6 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-252-3
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 30 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 100 mOhms
Rise Time 35 ns
RoHS Details
Series N-channel STripFET
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 20 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage 16 V
Width 6.2 mm
Вес, г 0.4

Техническая документация

Документация
pdf, 551 КБ
Datasheet STD12NF06LT4
pdf, 844 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.