IRFP3206
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
760 руб.
от 2 шт. —
640 руб.
от 5 шт. —
562 руб.
от 7 шт. —
536.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 760 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 200А, 280Вт, TO247AC Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6540pF @ 50V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 280W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Pd - рассеивание мощности | 280 W |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 20.7 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Другие названия товара № | SP001578056 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.31 mm |
| Base Product Number | IRFP3206 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Package | Tube |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Крутизна характеристики S,А/В | 210 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3 |
| Температура, С | -55…+175 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 280 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Width | 5.31mm |
| Вес, г | 7.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFP3206PBF
pdf, 305 КБ
Datasheet IRFP3206PBF
pdf, 297 КБ
Datasheet IRFP3206PBF
pdf, 297 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
