STN851

Фото 1/4 STN851
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
340 руб.
от 2 шт.250 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 340 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8002004616
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 5А, 1,6Вт, SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Brand STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO 150 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 320 mV
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hfe Min 150
DC Current Gain hFE Max 350
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Factory Pack Quantity 1000
Gain Bandwidth Product fT 130 MHz
Height 1.8 mm
Length 6.5 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current 5 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-223-4
Packaging MouseReel
Pd - Power Dissipation 1.6 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series 500V Transistors
Transistor Polarity NPN
Unit Weight 0.003951 oz
Width 3.5 mm
Automotive No
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Gull-wing
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.15@200mA@4A
Maximum Collector Base Voltage (V) 150
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 60
Maximum DC Collector Current (A) 5
Maximum Emitter Base Voltage (V) 7
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1600
Maximum Transition Frequency (MHz) 130(Typ)
Minimum DC Current Gain 150@10mA@1V|150@2A@1V|90@5A@1V|30@10A@1V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 4
PPAP No
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-223
Supplier Temperature Grade Industrial
Tab Tab
Type NPN
Brand: STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO: 150 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 320 mV
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hFE Min: 150
DC Current Gain hFE Max: 350
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gain Bandwidth Product fT: 130 MHz
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-223-4
Pd - Power Dissipation: 1.6 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: STN851
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Maximum Collector Base Voltage 150 V
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V
Maximum Emitter Base Voltage 7 V
Maximum Operating Frequency 130 MHz
Maximum Power Dissipation 1.6 W
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-223(SC-73)
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.23

Техническая документация

Datasheet
pdf, 229 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 222 КБ
Datasheet
pdf, 219 КБ
Datasheet
pdf, 145 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.