STD25NF10T4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
360 руб.
от 2 шт. —
260 руб.
от 5 шт. —
197 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 25A 100Вт 0,038Ом Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min | 20 S |
| Height | 2.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 25 A |
| Length | 6.6 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 100 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 33 mOhms |
| Rise Time | 60 ns |
| RoHS | Details |
| Series | STD25NF10 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 60 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 6.2 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 55 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 33 mOhms |
| Rise Time: | 60 ns |
| Series: | STD25NF10 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 437 КБ
Документация
pdf, 450 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
