IKW30N60TFKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
950 руб.
от 2 шт. —
820 руб.
от 5 шт. —
743 руб.
от 10 шт. —
698.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 950 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор БТИЗ, 30A 600В TO220-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 60 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 60 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Height | 20.95 mm |
Length | 15.9 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TXK SP000054887 |
Pd - Power Dissipation | 187 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | TRENCHSTOP |
Technology | Si |
Tradename | TRENCHSTOP |
Unit Weight | 1.340411 oz |
Width | 5.3 mm |
Вес, г | 8.167 |
Техническая документация
Datasheet IKW30N60TFKSA1
pdf, 500 КБ
ikw30n60t
pdf, 395 КБ
Datasheet IKW30N60T (Infineon)
pdf, 502 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов