IKW30N60TFKSA1

Фото 1/3 IKW30N60TFKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
950 руб.
от 2 шт.820 руб.
от 5 шт.743 руб.
от 10 шт.698.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 950 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002014075

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор БТИЗ, 30A 600В TO220-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Brand Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Single
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Continuous Collector Current Ic Max 60 A
Factory Pack Quantity 240
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Height 20.95 mm
Length 15.9 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part # Aliases IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TXK SP000054887
Pd - Power Dissipation 187 W
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Series TRENCHSTOP
Technology Si
Tradename TRENCHSTOP
Unit Weight 1.340411 oz
Width 5.3 mm
Вес, г 8.167

Техническая документация

Datasheet IKW30N60TFKSA1
pdf, 500 КБ
ikw30n60t
pdf, 395 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов