STS6NF20V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
320 руб.
от 2 шт. —
230 руб.
от 5 шт. —
168 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.7V; Threshold Voltage Vgs:600mV; Power Dissipation
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 11.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 30 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 33 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 1.65 mm |
| Длина | 5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | STS6NF20V |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Ширина | 4 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Series | STripFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 4mm |
| Вес, г | 0.127 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
