FZT651
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
87 руб.
от 10 шт. —
68 руб.
от 100 шт. —
49 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 60V, 3A, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:175MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.43 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 3 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 175 MHz |
| Height | 1.65 mm(Max) |
| Length | 6.7 mm(Max) |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | FZT651 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Width | 3.7 mm(Max) |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 175 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V |
| Длина | 6.55мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 3.55мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1.65мм |
| Число контактов | 3 + Tab |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Размеры | 1.65 x 6.55 x 3.55мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40 |
| Base Product Number | FZT651 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 175MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| Power - Max | 2W |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Диапазон рабочих температур, оС | -55…150 |
| Статический коэффициент передачи тока hfe мин | 100 |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 175 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 495 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FZT651TA
pdf, 500 КБ
Datasheet FZT651TA
pdf, 335 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
