APT18M100B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 390 руб.
от 2 шт. —
5 150 руб.
от 5 шт. —
4 960 руб.
от 9 шт. —
4 724.43 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 390 руб.
Описание
Электроэлемент
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 18A I(D), 1000V, 0.7OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247AD
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4845pF @ 25V |
| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 625W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 9A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-247(B) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Pd - рассеивание мощности | 625 W |
| Qg - заряд затвора | 150 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 20 ns |
| Время спада | 19 ns |
| Высота | 5.31 mm |
| Длина | 21.46 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | Power MOS 8 |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 19 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Торговая марка | Microchip / Microsemi |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 16.26 mm |
| Вес, г | 12.4 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
