SSM3J328R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
249 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6A I(D), 20V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | SOT-23-3 Flat Leads |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29.8mOhm @ 3A, 4.5V |
| Series | U-MOSVI |
| Supplier Device Package | SOT-23F |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.84e+007 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM3J328R,LF
pdf, 228 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
