BD135
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
146 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
60 руб.
от 10 шт. —
41 руб.
от 50 шт. —
24.77 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 1,5А, 15Вт, SOT32 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Collector- Base Voltage VCBO | 45 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.5 V, +0.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 1.5 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 |
DC Current Gain hFE Max | 250 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 2000 |
Height | 10.8 mm |
Length | 7.8 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | SOT-32-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 12.5 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 500V Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Width | 2.7 mm |
Pd - рассеивание мощности | 12.5 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 10.8 mm |
Длина | 7.8 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | BD135 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SOT-32-3 |
Ширина | 2.7 mm |
кол-во в упаковке | 50 |
Maximum Collector Base Voltage | 45 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
Minimum DC Current Gain | 100, 40 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-32 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
BD139-16
pdf, 152 КБ
Datasheet
pdf, 144 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
BD135 - BD136 - BD139 - BD140
pdf, 152 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.