STN0214
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
440 руб.
от 2 шт. —
340 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 1.2KV, SOT-223-4; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.6W; DC Collector Curren; Available until stocks are exhausted
Технические параметры
Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 200 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 3 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-223-4 |
Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | STN0214 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 114 КБ
Документация
pdf, 127 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.