Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › VT6Z2T2R

VT6Z2T2R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

70 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

140 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 76 руб.

от 10 шт. — 57 руб.

от 70 шт. — 39.57 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 280 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002027296

Бренд: Rohm

Описание

Электроэлемент

TRANS, NPN/PNP, 50V, 0.1A, 150DEG C; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:120hFE; Transistor Case Style:VMT; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Brand	ROHM Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.1 V, -0.15 V
Configuration	Dual
DC Collector/Base Gain hfe Min	120
DC Current Gain hFE Max	560 at-1 mA at-6 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	8000
Gain Bandwidth Product fT	350 MHz, 300 MHz
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Maximum DC Collector Current	200 mA
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	VMT-6
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	150 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	VT6Z2
Technology	Si
Transistor Polarity	NPN, PNP
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	VT6Z2
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560 at - 1 mA, - 6 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.1 V, - 0.15 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	350 MHz, 300 MHz
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	VT6Z2
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	VMT-6
Collector Emitter Voltage Max NPN	50В
Collector Emitter Voltage Max PNP	50В
Continuous Collector Current NPN	100мА
Continuous Collector Current PNP	100мА
DC Current Gain hFE Min NPN	120hFE
DC Current Gain hFE Min PNP	120hFE
Power Dissipation NPN	150мВт
Power Dissipation PNP	150мВт
Transition Frequency NPN	350МГц
Transition Frequency PNP	300МГц
Монтаж транзистора	Surface Mount
Вес, г	0.026