IRFU420APBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 3.3А 83Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
74 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 35 шт. —
59 руб.
от 75 шт. —
55 руб.
от 150 шт. —
52 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 518 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 500В 3.3А 83Вт
Технические параметры
Корпус | TO-251AA | |
Brand | Vishay Semiconductors | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 3000 | |
Fall Time | 13 ns | |
Height | 6.22 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 3.3 A | |
Length | 6.73 mm | |
Manufacturer | Vishay | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-251-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 83 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3 Ohms | |
Rise Time | 12 ns | |
RoHS | Details | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 8.1 ns | |
Unit Weight | 0.01164 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
Width | 2.38 mm | |
Вес, г | 0.73 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов