2N7000TA, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 200мА, 400мВт, TO92 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Base Part Number | 2N7000 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 200mA(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(Formed Leads) |
Packaging | Tape & Box(TB) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 400mW(Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 400 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Width | 4.19mm |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
2N7000TA datasheet
pdf, 115 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7000TA
pdf, 152 КБ
Документация
pdf, 208 КБ
2N7000, 2N7002, NDS7002A
pdf, 286 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов