SQJ912BEP-T1_GE3

Фото 1/2 SQJ912BEP-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
460 руб.
от 2 шт.370 руб.
от 5 шт.295 руб.
от 10 шт.270.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 460 руб.
Номенклатурный номер: 8002177819

Описание

Электроэлемент
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, 30A; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 30A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel(Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
Manufacturer Vishay Siliconix
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power - Max 48W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 9A, 10V
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
Supplier Device Package PowerPAKВ® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250ВµA
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance N Channel 0.009Ом
Drain Source On State Resistance P Channel 0.009Ом
Power Dissipation N Channel 48Вт
Power Dissipation P Channel 48Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции TrenchFET Series
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал 40В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал 40В
Непрерывный Ток Стока 30А
Непрерывный Ток Стока, N Канал 30А
Непрерывный Ток Стока, P Канал 30А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 1.5В
Рассеиваемая Мощность 48Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.009Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора PowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

Документация
pdf, 269 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов