SQJ912BEP-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
от 2 шт. —
370 руб.
от 5 шт. —
295 руб.
от 10 шт. —
270.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, 30A; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
FET Feature | Standard |
FET Type | 2 N-Channel(Dual) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power - Max | 48W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 9A, 10V |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
Supplier Device Package | PowerPAKВ® SO-8 Dual |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance N Channel | 0.009Ом |
Drain Source On State Resistance P Channel | 0.009Ом |
Power Dissipation N Channel | 48Вт |
Power Dissipation P Channel | 48Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET Series |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 40В |
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 30А |
Непрерывный Ток Стока, N Канал | 30А |
Непрерывный Ток Стока, P Канал | 30А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
Рассеиваемая Мощность | 48Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.009Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Документация
pdf, 269 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары