FP40R12KT3GBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 210W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 660 руб.
от 10 шт. —
36 380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 37 660 руб.
Описание
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | 3 Phase Bridge |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 55 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +125 °C |
Maximum Power Dissipation | 210 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | PCB Mount |
Package Type | ECONO3 |
Pin Count | 35 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | 3 Phase |
Вес, г | 0.306 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары