MJD45H11T4, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 8А, 20Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 шт., срок 7 недель
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
140 руб.
от 50 шт. —
99 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 510 руб.
Альтернативные предложения5
Посмотреть аналоги20
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 8А, 20Вт, DPAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
кол-во в упаковке | 2500 |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 8 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum DC Collector Current: | 8 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 20 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | MJD45H11 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
Maximum DC Collector Current | -8 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 20 W |
Minimum DC Current Gain | 40 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Brand | STMicroelectronics |
Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 8 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 60 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Height | 2.4 mm(Max) |
Length | 6.6 mm(Max) |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 20 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | MJD45H11T4 |
Transistor Polarity | PNP |
Unit Weight | 0.063493 oz |
Width | 6.2 mm(Max) |
Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 288 КБ
Datasheet MJD45H11T4
pdf, 395 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары