STGP14NC60KD, Транзистор БТИЗ, 600В, 14А, 80Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
201 шт., срок 6 недель
570 руб.
от 3 шт. —
480 руб.
от 10 шт. —
403 руб.
от 50 шт. —
304.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 14 A |
Continuous Collector Current at 25 C | 11 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 7 A |
Factory Pack Quantity | 50 |
Gate-Emitter Leakage Current | 150 uA |
Height | 9.15 mm |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 28 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | 600-650V IGBTs |
Unit Weight | 0.211644 oz |
Width | 4.6 mm |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet STGB14NC60KDT4, STGF14NC60KD, STGP14NC60KD
pdf, 1461 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.