BSS84AK,215, Транзистор P-MOSFET, полевой, -50В, -120мА, 420мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6589 шт., срок 6 недель
68 руб.
от 10 шт. —
35 руб.
от 50 шт. —
20 руб.
от 100 шт. —
15.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 68 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -50В, -120мА, 420мВт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 180mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5О© @ 100mA,10V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.1V @ 250uA |
кол-во в упаковке | 3000 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 180 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 7.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 420 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.26 nC @ 5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары