Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Microchip › DN3545N3-G, Транзистор N-МОП, 450В, 200мА ...

DN3545N3-G, Транзистор N-МОП, 450В, 200мА, 740мВт, TO92

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

320 руб.

от 5 шт. — 250 руб.

от 25 шт. — 205 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 руб.

Номенклатурный номер: 8002528441

Артикул: DN3545N3-G

Бренд: Microchip Technology

Описание

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

Технические параметры

Channel Mode	Depletion
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	130 mA
Maximum Drain Source Resistance	20 Ω
Maximum Drain Source Voltage	450 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	740 mW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-92
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	4.19mm
Вес, г	0.22