C3M0120090J, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 22А, 83Вт, D2PAK-7, SiC

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

144 шт., срок 6 недель

3 530 руб.

от 3 шт. — 2 750 руб.

от 10 шт. — 2 240 руб.

от 50 шт. — 2 029.52 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 530 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8002530262

Артикул: C3M0120090J

Бренд: WOLFSPEED

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 22А, 83Вт, D2PAK-7, SiC

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	22 A
Maximum Drain Source Resistance	120 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	900 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, 18 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	83 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1.8V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-263-7
Pin Count	7
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	SiC
Typical Gate Charge @ Vgs	17.3 nC @ 4/15V
Width	9.12mm
Вес, г	2.223