2N7002BKV,115, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.34 А, 0.525 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3565 шт., срок 6 недель
57 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
32 руб.
от 100 шт. —
28 руб.
от 500 шт. —
21.60 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 285 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Описание Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.34 А, 0.525 Вт Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 340mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@10V, 500mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 600pC@4.5V |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet 2N7002BKV,115
pdf, 921 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6679AZ, Транзистор P-MOSFET 30В 13.5А 2.7Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
