STGWA30H65DFB, Транзистор IGBT, 650В, 30А, 260Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт., срок 7 недель
1 140 руб.
от 3 шт. —
1 000 руб.
от 10 шт. —
779 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 140 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 30A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 149nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 260W |
| Pulsed collector current | 120A |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 897 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
