STD10P6F6, Транзистор P-МОП, полевой, -60В, -7,2А, 35Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
954 шт., срок 7 недель
220 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 30 шт. —
121 руб.
от 100 шт. —
103.23 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, -60В, -7,2А, 35Вт, DPAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 10 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 35 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 6.4 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 160 mOhms |
Rise Time: | 7 ns |
Series: | STD10P6F6 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 64 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Forward Diode Voltage | 1.1V |
Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
Maximum Drain Source Resistance | 160 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
Width | 7.45mm |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1181 КБ
Datasheet
pdf, 1201 КБ
Datasheet STD10P6F6
pdf, 1185 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары