2N6387G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 10А, 2Вт, TO220-3

Фото 1/4 2N6387G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 10А, 2Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
320 руб.
от 3 шт.240 руб.
от 10 шт.169 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 руб.
Номенклатурный номер: 8002625078
Артикул: 2N6387G

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона NPN THT
Описание Биполярный транзистор 2N6387G от производителя ONSEMI отличается монтажом THT, что облегчает его установку в различных электронных устройствах. С током коллектора до 10 А и напряжением коллектор-эмиттер до 60 В, а также мощностью в 2 Вт, этот транзистор идеально подходит для широкого спектра задач. Благодаря типу NPN и виду Дарлингтон, а также корпусу TO220-3, он обеспечивает повышенную эффективность и надежность в своей области применения. Использование модели 2N6387G гарантирует высокую производительность в схемах усиления и коммутации. Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN, Дарлингтон
Монтаж THT
Ток коллектора, А 10
Напряжение коллектор-эмиттер, В 60
Мощность, Вт 2
Корпус TO220-3

Технические параметры

Вид монтажа Through Hole
Высота 15.75 mm
Длина 10.53 mm
Категория продукта Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 50
Серия 2N6388
Тип продукта Darlington Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.83 mm
Configuration Single
Maximum Collector Base Voltage 60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 3 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V dc
Maximum Continuous Collector Current 10 A dc
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 65 W
Minimum DC Current Gain 1000
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Width 4.83mm
Вес, г 2.02

Техническая документация

Datasheet 2N6387G
pdf, 247 КБ
Datasheet 2N6388G
pdf, 107 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов