VP0109N3-G, Транзистор P-МОП, -90В, -500мА, 1Вт, TO92

Фото 1/2 VP0109N3-G, Транзистор P-МОП, -90В, -500мА, 1Вт, TO92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
460 руб.
от 5 шт.350 руб.
от 25 шт.258 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 460 руб.
Номенклатурный номер: 8002634308
Артикул: VP0109N3-G

Описание

МОП-транзистор 90V 8Ohm

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 250 mA
Pd - рассеивание мощности 1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 90 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 3 ns
Время спада 4 ns
Высота 5.33 mm
Длина 5.21 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип FET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 8 ns
Типичное время задержки при включении 4 ns
Торговая марка Microchip Technology
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-92-3
Ширина 4.19 mm
Base Product Number VP0109 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 250mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 90V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type P-Channel
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
PCN Packaging http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 500mA, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 250 mA
Maximum Drain Source Resistance 8 Ω
Maximum Drain Source Voltage 90 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-92
Pin Count 3
Series VP0109
Вес, г 0.22

Техническая документация

Datasheet
pdf, 637 КБ
Datasheet VP0109N3-G
pdf, 640 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов