VP0109N3-G, Транзистор P-МОП, -90В, -500мА, 1Вт, TO92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
от 5 шт. —
350 руб.
от 25 шт. —
258 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
МОП-транзистор 90V 8Ohm
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 90 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 3 ns |
Время спада | 4 ns |
Высота | 5.33 mm |
Длина | 5.21 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип | FET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 8 ns |
Типичное время задержки при включении | 4 ns |
Торговая марка | Microchip Technology |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Ширина | 4.19 mm |
Base Product Number | VP0109 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 250mA (Tj) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | P-Channel |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Bulk |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
PCN Packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 500mA, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 8 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 90 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Series | VP0109 |
Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 637 КБ
Datasheet VP0109N3-G
pdf, 640 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары